ಫೈಬರ್ ಔಟ್ಪುಟ್ 780 nm ಸಿಂಗಲ್ ಫ್ರೀಕ್ವೆನ್ಸಿ ಲೇಸರ್
ಉತ್ಪನ್ನ ಲಕ್ಷಣಗಳು
█ಕಿರಿದಾದ ಲೈನ್‌ವಿಡ್ತ್<20 kHz (2 kHz ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ)
█ಐಚ್ಛಿಕ ಕಡಿಮೆ ತೀವ್ರತೆಯ ಶಬ್ದ (RIN <-130 dBc/Hz @ 100 kHz)
█ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ (2W)
█ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಕಿರಣದ ಗುಣಮಟ್ಟ (M² <1.1)
█ವಿದ್ಯುತ್ ಸ್ಥಿರತೆ (PP<1% @25℃, <2% @15-35℃)
█ಪರಿಸರ ಸ್ಥಿರತೆ (15-35℃, 0.5 Grms (0-200 Hz))
█Rb ಪರಮಾಣು
ತಾಂತ್ರಿಕ ಸೂಚಕಗಳು
| ಮಾದರಿ | EFA-SSHG-780-X(ಏಕ) | EFA-SSHG-780-XX(ಎರಡು ಚಾನಲ್‌ಗಳು) | |||
| ಕೇಂದ್ರ ತರಂಗಾಂತರ¹ | 780.24 ಎನ್ಎಂ | ||||
| ಶಕ್ತಿ | 2W | 0.2W | 2W | 400ಮೆ.ವ್ಯಾ | |
| 2W | 400ಮೆ.ವ್ಯಾ | ||||
| ಎರಡು ಚಾನಲ್‌ಗಳ ನಡುವಿನ ಆವರ್ತನ ವ್ಯತ್ಯಾಸ |
| 0-1.2 GHz (ಏಕ ಬೀಜ ಲೇಸರ್) | |||
| ಲೇಸರ್ಲೈನ್ ಅಗಲ | < 20 kHz | < 2kHz(ಐಚ್ಛಿಕ) | |||
| ಮೋಡ್-ಹಾಪ್ ಉಚಿತ ಶ್ರುತಿ ಶ್ರೇಣಿ² | 0.4 nm | ||||
| ವೇಗದ ಶ್ರೇಣಿ² | 10 GHz | ||||
| ವೇಗವಾದ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್² | >10 kHz | ||||
| ಆವರ್ತನ ಸ್ಥಿರತೆ² | 100 MHz @25℃ | ||||
| RMS ಪವರ್ ಸ್ಟೆಬಿಲಿಟಿ,% | <0.3% RMS @25℃ @3ಗಂ | ||||
| ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಪರಿಸರ | ತಾಪಮಾನ: 0-50℃ ಕಂಪನ: 0.5 Grms(0~200Hz) | ||||
| ಸಾಪೇಕ್ಷ ತೀವ್ರತೆಯ ಶಬ್ದದ RMS ಏಕೀಕರಣ (10Hz-10 MHz) | <0.2% | ಕಡಿಮೆ ಶಬ್ದ ಆಯ್ಕೆ³ RMS ಏಕೀಕರಣ ಮೌಲ್ಯ: <0.05% (10Hz-10 MHz) | |||
| ಔಟ್ಪುಟ್ ಫೈಬರ್ | PM780 ಫೈಬರ್, ಕೊಲಿಮೇಟಿಂಗ್ ಔಟ್ಪುಟ್ ಅಥವಾ FC/APC ಔಟ್ಪುಟ್ | ||||
| ಧ್ರುವೀಕರಣ | ರೇಖೀಯ ಧ್ರುವೀಕರಣ , > 100: 1 | ||||
| ಕೂಲಿಂಗ್ | ಏರ್ ಕೂಲಿಂಗ್/ವಾಟರ್ ಕೂಲಿಂಗ್ | ||||
| ಶಕ್ತಿಯ ವಿಸರ್ಜನೆ | <200 W | ||||
| 1 ಕಾಸ್ಟ್ಯೂಮ್ ಮಾಡಬಹುದು; ಕಸ್ಟಮ್ ಶ್ರೇಣಿ 765-790 nm 2 ಸೀಡ್ ಲೇಸರ್ ಅನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ, ಸೀಡ್ ಲೇಸರ್ ಬಾಹ್ಯವಾಗಿರಬಹುದು 3 ಕಡಿಮೆ ಶಬ್ದಕ್ಕಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಶಬ್ದ ಬೀಜವನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಬಹುದು | |||||
ರಚನೆಯ ಗಾತ್ರ
█780 nm ಏಕ ಆವರ್ತನ ಲೇಸರ್ EFA-SSHG-780
