ಸ್ಪೇಸ್ ಔಟ್ಪುಟ್ 780 nm ಸಿಂಗಲ್ ಫ್ರೀಕ್ವೆನ್ಸಿ ಲೇಸರ್
ಉತ್ಪನ್ನ ಲಕ್ಷಣಗಳು
█ ಕಿರಿದಾದ ರೇಖೆಯ ಅಗಲ<20kHz (ಕಡಿಮೆ2kHz ನಂತೆ)
█ ಆಯ್ಕೆಯ ಅಲೋಇಂಟೆನ್ಸಿಟಿನೊಯಿಸ್ (RIN<-130dBc/Hz@100kHz)
█ ಹೈಪವರ್ (15W)
█ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಕಿರಣದ ಗುಣಮಟ್ಟ(M² <1.1)
█ ವಿದ್ಯುತ್ ಸ್ಥಿರತೆ (PP<1%@25℃,<2%@15-35℃)
█ ಪರಿಸರ ಸ್ಥಿರತೆ (15-35℃,0.5Grms (0-200Hz))
█ Rbatom
█ ಮ್ಯಾಜಿಕ್ಲೈಟ್ಲ್ಯಾಟಿಸ್
ತಾಂತ್ರಿಕ ಸೂಚಕಗಳು
| ಮಾದರಿ | EFA-SSHG-780-X(ಏಕ ಔಟ್ಪುಟ್) | EFA-SSHG-780-XX(ಎರಡು ಚಾನಲ್ ಔಟ್ಪುಟ್) | |||||
| ಕೇಂದ್ರ ತರಂಗಾಂತರ¹ | 780.24 ಎನ್ಎಂ | ||||||
| ಶಕ್ತಿ | 15W | 7W | 2W | 0.2W | 3W | 400ಮೆ.ವ್ಯಾ | |
| 3W | 400ಮೆ.ವ್ಯಾ | ||||||
| ಎರಡು ಚಾನಲ್‌ಗಳ ನಡುವಿನ ಆವರ್ತನ ವ್ಯತ್ಯಾಸ |
| 0-1.2 GHz (ಏಕ ಬೀಜ ಲೇಸರ್) | |||||
| ಲೇಸರ್ಲೈನ್ ಅಗಲ | < 20 kHz | < 4kHz(ಐಚ್ಛಿಕ) | |||||
| ಮೋಡ್-ಹಾಪ್ ಉಚಿತ ಶ್ರುತಿ ಶ್ರೇಣಿ² | 0.4 nm | ||||||
| ವೇಗದ ಶ್ರೇಣಿ² | 10 GHz | ||||||
| ವೇಗವಾದ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್² | >10 kHz | ||||||
| ಆವರ್ತನ ಸ್ಥಿರತೆ² | 100 MHz @25℃ | ||||||
| ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಪರಿಸರ | ತಾಪಮಾನ: 15-35℃ ಕಂಪನ: 0.5 Grms(0~200Hz) | ||||||
| ಸಾಪೇಕ್ಷ ತೀವ್ರತೆಯ ಶಬ್ದದ RMS ಏಕೀಕರಣ (10Hz-10 MHz) | <0.2% | ಕಡಿಮೆ ಶಬ್ದ ಆಯ್ಕೆ³ RMS ಏಕೀಕರಣ ಮೌಲ್ಯ: <0.05% (10Hz-10 MHz) | |||||
| ಬೀಮ್ ಗುಣಮಟ್ಟ | TEMₒₒ, M² <1.1 | ||||||
| ಧ್ರುವೀಕರಣ | ರೇಖೀಯ ಧ್ರುವೀಕರಣ , > 100: 1 | ||||||
| ಕೂಲಿಂಗ್ | ಏರ್ ಕೂಲಿಂಗ್/ವಾಟರ್ ಕೂಲಿಂಗ್ | ||||||
| ಶಕ್ತಿಯ ವಿಸರ್ಜನೆ | <200 W | ||||||
| 1 ಕಾಸ್ಟ್ಯೂಮ್ ಮಾಡಬಹುದು; ಕಸ್ಟಮ್ ಶ್ರೇಣಿ 765-790 nm 2 ಸೀಡ್ ಲೇಸರ್ ಅನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ, ಸೀಡ್ ಲೇಸರ್ ಬಾಹ್ಯವಾಗಿರಬಹುದು 3 ಕಡಿಮೆ ಶಬ್ದಕ್ಕಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಶಬ್ದ ಬೀಜವನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಬಹುದು | |||||||
ರಚನೆಯ ಗಾತ್ರ
